中国科学院太空制造技术重点实验室

CAS Key Laboratory of Space Manufacturing Technology

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学术带头人

刘学超

基本信息

姓    名

刘学超

职    称

研究员

学    历

博  士

电子邮件

xcliu@mail.sic.ac.cn

办公电话

021-69987663

研究领域

空间材料科学与实验技术、宽禁带半导体材料与器件

通讯地址

上海市嘉定区和硕路585号   201899

 

教育经历

1999/09 – 2003/06      同济大学                       学士

2003/09 – 2008/06      中科院上海硅酸盐研究所         博士

 

工作经历

2008/07-2010/09       英国华威大学                   博士后

主要研究内容:

宽禁带半导体材料与器件。

 

2010/09-至今         中科院上海硅酸盐研究所        副研究员/研究员/课题组长/晶体中心副主任

主要研究内容:

空间材料科学与实验技术;宽禁带半导体材料与器件。

 

主要学术兼职

(1)全国专业标准化技术委员会委员

(2)《人工晶体学报》青年编委

(3)载人航天工程质量管理专家

(4)第三代半导体产业技术创新联盟理事

 

奖励信息

1、上海市青年科技启明星;

2、中科院青年创新促进会青年人才计划;

3、中科院上海硅酸盐研究所所百人计划。

4、上海市嘉定区青年领军人才;

 

发表论文

1. Effect of thermal annealing on the defects and electrical properties of semi-insulating 6H-SiC, Journal of Crystal Growth, 531,125399-125404 (2020). 通讯作者

2. Electrical property study of Ni/Nb conatact to n-type 4H-SiC. Materi. Sci. Forum, 924, 405-408 (2018). 第一作者

3. Photoluminescence properties of N and B codoped fluorescent 4H-SiC and 6H-SiC single crystals. AIP Advances, 8, 125001-125007 (2018). 通讯作者

4. Strong correlation between B-Al-N doping concentration fluctuation and photoluminescence effects of f-SiC. AIP Advances, 8, 075130-075136 (2018). 通讯作者

5. Porous AlN with a Low Dielectric Constant Synthesized Based on the Physical Vapor Transport Principle, Journal of Electronic Materials, 1-5 (2016). 通讯作者

6. Defects Induced Ferromagnetism in Hydrogen Irradiated 3C-SiC Thin Films, Materials Letters, 156, 54-57 (2015). 通讯作者

7. Ferromagnetism in proton irradiated 4H-SiC single crystal, AIP Advance, 5, 047146 (2015). 通讯作者

8. Study of surface morphologies of on-axis 6H-SiC wafer after high-temperature etching and epitaxial growth, Material Science Forum, 778-780, 197-200 (2014). 第一作者

9. Strong correlation between oxygen vacancy and ferromagnetism in Yb-doped ZnO thin films, Journal of Applied Physics, 116, 243910 (2014). 通讯作者

10. Effect of annealing temperature on the contact properties of Ni/V/4H-SiC, AIP Advance, 4, 047125-047131 (2014). 通讯作者

11. Influence of Ga doping on the Cr valence state and ferromagnetism in Cr: ZnO films. Appl. Phys. Lett. 102, 022414 (2013). 通讯作者

12. The dual effects of Al-doping on the ferromagnetism of Zn0.98-yEr0.02AlyO thin films, AIP Advance, 3, 082121 (2013). 通讯作者

13. Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD, Applied Surface Sciences, 259, 685-690 (2012). 通讯作者

14. Influence of surface bow on reconstruction of 2-inch-SiC (0001) wafer, J. Appl. Phys. 111, 023516 (2012). 通讯作者

15. Oxygen enhanced ferromagnetism in Cr-doped ZnO films. Appl. Phys. Lett. 99, 052513-052515 (2011). 通讯作者

16. High quality Ge/Si0.4Ge0.6 multiple quantum wells for photonic application: growth by reduced pressure chemical vapor deposition and structural characteristics. J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 055102 (2011). 第一作者

 

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